2024. december 31-én a China Electronic Materials Industry Association szerint a Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd., a China Electronics Technology Semiconductor Materials Co., Ltd. leányvállalata a közelmúltban sikeresen kifejlesztett egy 12 hüvelykes (300 mm) magas tisztaságú félszigetelő szilícium-karbid egykristály hordozó, és sikeresen kifejlesztett egy 12 hüvelykes N-típusú szilíciumot keményfém egykristály szubsztrát egyidejűleg.

Ami a kapacitásépítést illeti, a Shuoke Crystal Szilícium-karbid II. fázisú projekt 2024 októberében átment a befejezési átvételen, ezzel a projekt gyártása hivatalosan megkezdődött. A II. fázis projekt befejezése várhatóan további 200 000 6-8 hüvelykes szilícium-karbid szubsztrátot hoz a Shuoke Crystal számára évente, beleértve évi 200 000 N-típusú szilícium-karbid egykristály hordozót és évi 25 000 nagy tisztaságú hordozót.

Ami a 8 hüvelykes előrehaladást illeti, a Shuoke Crystal 2021 augusztusában 8 hüvelykes szilícium-karbid kristályokat fejlesztett ki, majd 2022 januárjában a Shuoke Crystal elérte a 8 hüvelykes N-típusú szilícium-karbid polírozó lapkák kisüzemi gyártását. Az ostya méretének növekedése azt jelenti, hogy minden ostyán több chipet lehet gyártani, ezáltal javul a gyártás hatékonysága. Nemcsak egyetlen chip gyártási költségét csökkenti, hanem optimalizálja a teljes gyártási költséget is. Ezért a nagy méretű ostyák gazdaságilag hatékonyabbak, és nagyobb versenyelőnyt jelentenek a gyártóknak.

Jelenleg a nagy méretű ostyák a nagy gyártók közös céljává váltak. A Shuoke Crystal mellett a Tianyue Advanced 2024. november 13-án kiadott egy 12 hüvelykes N-típusú szilícium-karbid hordozóterméket, jelezve, hogy a szilícium-karbid ipar hivatalosan is belépett az ultranagy méretű szilícium-karbid hordozók korszakába. Bár a szilícium-karbid szubsztrátumok területe jelenleg 6 hüvelykről 8 hüvelykre változik, a jövőbeli fejlődés 12 hüvelykesre nagyon jól látható.